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BSS606NH6327

商品型号： BSS606NH6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-89(SOT-89-3)

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY341451

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 15uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 15uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

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BSS606NH6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS606NH6327价格参考￥7.383000。Infineon(英飞凌)BSS606NH6327封装/规格：SOT-89(SOT-89-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 15uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

手机版：BSS606NH6327