商品型号： LSG65R650HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.47g
商品编号： CY415071
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSG65R650HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSG65R650HT价格参考￥1.433600。LONTEN(龙腾半导体)LSG65R650HT封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSG65R650HT
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