商品型号： JST100N30T2
制造厂商： JESTEK(吉思泰)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY329428
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 100A
数量
价格
1+
￥5.2396
10+
￥5.2014
30+
￥5.1632
100+
￥5.1224
500+
￥5.0816
1000+
￥5.0408
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
JST100N30T2由JESTEK(吉思泰)设计生产,在芯云购商城现货销售,JST100N30T2价格参考￥5.239600。JESTEK(吉思泰)JST100N30T2封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 100A
手机版：JST100N30T2
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