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NGTB10N60R2DT4G

商品型号： NGTB10N60R2DT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY080273

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 160uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：20A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- N 沟道,600V,10A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集电极电流（Ic）（最大值）	20A
集射极击穿电压（最大值）	600V
类型	-

栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 160uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：20A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- N 沟道,600V,10A

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NGTB10N60R2DT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB10N60R2DT4G价格参考￥5.545900。ON(安森美)NGTB10N60R2DT4G封装/规格：TO-252-2(DPAK),栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 160uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：20A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- N 沟道,600V,10A

手机版：NGTB10N60R2DT4G