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AOD5B65M1

商品型号: AOD5B65M1

制造厂商: AOS

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.48g

商品编号: CY137103

数据手册: 在线预览

商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):5.1V @ 1mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.98V @ 15V,5A 集电极电流(Ic)(最大值):10A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:-

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 IGBT管
集电极电流(Ic)(最大值) 10A
集射极击穿电压(最大值) 650V
类型 -
栅极阈值电压-VGE(th) 5.1V @ 1mA
栅极阈值电压-VGE(th):5.1V @ 1mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.98V @ 15V,5A 集电极电流(Ic)(最大值):10A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:-

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AOD5B65M1由AOS设计生产,在芯云购商城现货销售,AOD5B65M1价格参考¥1.080100。AOSAOD5B65M1封装/规格:TO-252-2(DPAK),栅极阈值电压-VGE(th):5.1V @ 1mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.98V @ 15V,5A 集电极电流(Ic)(最大值):10A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:-

手机版:AOD5B65M1