商品型号： FDMC86261P
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： 8-MLP（3.3x3.3）
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY560326
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A | |
| 类型 | P沟道 |
FDMC86261P由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMC86261P价格参考￥4.209800。ON(安森美)FDMC86261P封装/规格：8-MLP（3.3x3.3）,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
手机版：FDMC86261P
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