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FGL60N100BNTDTU

商品型号： FGL60N100BNTDTU

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-264

商品毛重： 12.41g

商品编号： CY110698

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 60mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.9V @ 15V,60A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：1000V 类型：NPT 和沟道 Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集射极击穿电压（最大值）	1000V
类型	NPT 和沟道

栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 60mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.9V @ 15V,60A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：1000V 类型：NPT 和沟道 Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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FGL60N100BNTDTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGL60N100BNTDTU价格参考￥8.324200。ON(安森美)FGL60N100BNTDTU封装/规格：TO-264,栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 60mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.9V @ 15V,60A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：1000V 类型：NPT 和沟道 Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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