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FGA25N120ANTDTU-F109

商品型号: FGA25N120ANTDTU-F109

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-3P

商品毛重: 6.83g

商品编号: CY242801

数据手册: 在线预览

商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):7.5V @ 25mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.65V @ 15V,50A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT 和沟道 Vce=1200V,Ic=50A,Vce(sat)=2V

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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商品目录 IGBT管
集电极电流(Ic)(最大值) 50A
集射极击穿电压(最大值) 1200V
类型 NPT 和沟道
栅极阈值电压-VGE(th):7.5V @ 25mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.65V @ 15V,50A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT 和沟道 Vce=1200V,Ic=50A,Vce(sat)=2V

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FGA25N120ANTDTU-F109由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGA25N120ANTDTU-F109价格参考¥1.164200。ON(安森美)FGA25N120ANTDTU-F109封装/规格:TO-3P,栅极阈值电压-VGE(th):7.5V @ 25mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.65V @ 15V,50A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT 和沟道 Vce=1200V,Ic=50A,Vce(sat)=2V

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