商品型号: FGA25N120ANTDTU-F109
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-3P
商品毛重: 6.83g
商品编号: CY242801
数据手册:
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商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):7.5V @ 25mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.65V @ 15V,50A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT 和沟道 Vce=1200V,Ic=50A,Vce(sat)=2V
数量
价格
1+
¥1.1642
10+
¥1.0821
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管 | |
集电极电流(Ic)(最大值) | 50A | |
集射极击穿电压(最大值) | 1200V | |
类型 | NPT 和沟道 |
FGA25N120ANTDTU-F109由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGA25N120ANTDTU-F109价格参考¥1.164200。ON(安森美)FGA25N120ANTDTU-F109封装/规格:TO-3P,栅极阈值电压-VGE(th):7.5V @ 25mA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.65V @ 15V,50A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT 和沟道 Vce=1200V,Ic=50A,Vce(sat)=2V
20万现货SKU
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