商品型号： LMN400E01-7
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-363
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY884754
数据手册：
在线预览
商品描述： 集电极电流Ic：400mA PNP,- 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP 预偏压式,N 通道预偏压式 集射极击穿电压Vce：50V PNP,- PNP三极管+N沟道MOSFET
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货1685(3000起订)
数 量: X ￥2.0816
总 价: ￥2.08
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥2.0816
10+
￥2.0408
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字三极管 | |
| 额定功率 | 200mW | |
| 集射极击穿电压Vce | 50V PNP,- |
LMN400E01-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,LMN400E01-7价格参考￥2.081600。DIODES(美台)LMN400E01-7封装/规格：SOT-363,集电极电流Ic：400mA PNP,- 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP 预偏压式,N 通道预偏压式 集射极击穿电压Vce：50V PNP,- PNP三极管+N沟道MOSFET
手机版：LMN400E01-7
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监