商品型号: UT2955G-AA3-R
制造厂商: 3PEAK
封装规格: SOT-223
商品毛重: 0.31g
商品编号: CY278994
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 P沟道
数量
价格
1+
¥4.196
10+
¥4.147
30+
¥4.098
100+
¥4.049
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.7A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1W | |
类型 | P沟道 |
UT2955G-AA3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT2955G-AA3-R价格参考¥4.196000。3PEAKUT2955G-AA3-R封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 P沟道
手机版:UT2955G-AA3-R
20万现货SKU
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