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MUN5212DW1T1G

商品型号： MUN5212DW1T1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY554816

数据手册：在线预览

商品描述：集电极电流Ic：100mA 额定功率：256mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V NPN

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	三极管
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式(双)
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	50V
额定功率	256mW

集电极电流Ic：100mA 额定功率：256mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V NPN

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MUN5212DW1T1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,MUN5212DW1T1G价格参考￥2.450600。ON(安森美)MUN5212DW1T1G封装/规格：SOT-363,集电极电流Ic：100mA 额定功率：256mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V NPN

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