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MUN5233DW1T1G

商品型号： MUN5233DW1T1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY617891

数据手册：在线预览

商品描述：集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V 双NPN带阻三极管，50V，100mA，R=4.7K/47K

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	三极管
额定功率	250mW
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	50V
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式(双)

集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V 双NPN带阻三极管，50V，100mA，R=4.7K/47K

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MUN5233DW1T1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,MUN5233DW1T1G价格参考￥9.197400。ON(安森美)MUN5233DW1T1G封装/规格：SOT-363,集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V 双NPN带阻三极管，50V，100mA，R=4.7K/47K

手机版：MUN5233DW1T1G