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MMDT5551-7-F

商品型号： MMDT5551-7-F

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-363-6

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY419590

数据手册：在线预览

商品描述：集电极电流Ic：200mA 额定功率：200mW 晶体管类型：2 NPN(双) 集射极击穿电压Vce：160V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	三极管
晶体管类型	2 NPN(双)
集电极电流Ic	200mA
集射极击穿电压Vce	160V
额定功率	200mW

集电极电流Ic：200mA 额定功率：200mW 晶体管类型：2 NPN(双) 集射极击穿电压Vce：160V

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MMDT5551-7-F由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,MMDT5551-7-F价格参考￥3.502200。DIODES(美台)MMDT5551-7-F封装/规格：SOT-363-6,集电极电流Ic：200mA 额定功率：200mW 晶体管类型：2 NPN(双) 集射极击穿电压Vce：160V

手机版：MMDT5551-7-F