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MUN5311DW1T2G

商品型号： MUN5311DW1T2G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY806865

数据手册：在线预览

商品描述：集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V PNP,NPN

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	数字三极管
额定功率	250mW
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	50V
晶体管类型	1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V PNP,NPN

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MUN5311DW1T2G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,MUN5311DW1T2G价格参考￥6.076700。ON(安森美)MUN5311DW1T2G封装/规格：SOT-363,集电极电流Ic：100mA 额定功率：250mW 晶体管类型：1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce：50V PNP,NPN

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