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NST857BDP6T5G

商品型号： NST857BDP6T5G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-963

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY873240

数据手册：在线预览

商品描述：集电极电流Ic：100mA 额定功率：350mW 晶体管类型：2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce：45V 双PNP,-45V,-100mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	三极管
额定功率	350mW
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	45V
晶体管类型	2 PNP(双)

集电极电流Ic：100mA 额定功率：350mW 晶体管类型：2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce：45V 双PNP,-45V,-100mA

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NST857BDP6T5G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NST857BDP6T5G价格参考￥2.545000。ON(安森美)NST857BDP6T5G封装/规格：SOT-963,集电极电流Ic：100mA 额定功率：350mW 晶体管类型：2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce：45V 双PNP,-45V,-100mA

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