商品型号： T835H-6T
制造厂商： ST(意法半导体)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.78g
商品编号： CY960958
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商品描述： 栅极触发电流：35mA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 栅极触发电压：1V 断态电压Vdrm：600V 类型：双向可控硅
数量
价格
1+
￥5.134
10+
￥5.067
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅 | |
| 通态电流(It (RMS)) (Max) | 8A | |
| 通态电流 (It (AV)) (Max) | - | |
| 断态电压Vdrm | 600V | |
| 栅极触发电压-Vgt | 1V | |
| 类型 | 双向可控硅 | |
| 栅极触发电流-Igt | 35mA |
T835H-6T由ST(意法半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,T835H-6T价格参考￥5.134000。ST(意法半导体)T835H-6T封装/规格：TO-220AB,栅极触发电流：35mA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 栅极触发电压：1V 断态电压Vdrm：600V 类型：双向可控硅
手机版：T835H-6T
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