商品型号： HD60N75
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY507473
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,75V,60A,16mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | |
| 类型 | N沟道 |
HD60N75由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HD60N75价格参考￥9.131000。HL(豪林)HD60N75封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,75V,60A,16mΩ@10V
手机版：HD60N75
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