商品型号： CSD13202Q2
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： WSON-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY738301
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.3mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 CSD13202Q2 N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 22A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD13202Q2由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD13202Q2价格参考￥9.169600。TI(德州仪器)CSD13202Q2封装/规格：WSON-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.3mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 CSD13202Q2 N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）
手机版：CSD13202Q2
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