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IPD082N10N3 G

商品型号： IPD082N10N3G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY870514

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	80A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V

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IPD082N10N3G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD082N10N3G价格参考￥4.582300。Infineon(英飞凌)IPD082N10N3G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V

手机版：IPD082N10N3G