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CS3N90A3H1-G

商品型号： CS3N90A3H1-G

制造厂商：华润华晶

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.59g

商品编号： CY934870

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,3A,5Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	900V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,3A,5Ω@10V

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CS3N90A3H1-G由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS3N90A3H1-G价格参考￥9.162600。华润华晶CS3N90A3H1-G封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,3A,5Ω@10V

手机版：CS3N90A3H1-G