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IRF9956TRPBF

商品型号： IRF9956TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.28g

商品编号： CY114245

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道双N沟道,30V,3.5A,0.1Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）	2W
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道双N沟道,30V,3.5A,0.1Ω@10V

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IRF9956TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF9956TRPBF价格参考￥6.113400。Infineon(英飞凌)IRF9956TRPBF封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道双N沟道,30V,3.5A,0.1Ω@10V

手机版：IRF9956TRPBF