商品型号： WSD2050DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN-8
商品毛重： 0.09g
商品编号： CY011138
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.20V 40A 14mΩ@10V,28mΩ@1.8V(最大)
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货6345(5000起订)
数 量: X ￥4.0705
总 价: ￥4.07
包 装:「圆盘 / 5000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥4.0705
10+
￥4.0604
30+
￥4.0503
100+
￥4.0402
500+
￥4.0268
1000+
￥4.0134
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
WSD2050DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD2050DN价格参考￥4.070500。WINSOK微硕WSD2050DN封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.20V 40A 14mΩ@10V,28mΩ@1.8V(最大)
手机版：WSD2050DN
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监