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WSD2098N23

商品型号: WSD2098N23

制造厂商: WINSOK微硕

封装规格: DFN 2x3

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY925517

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双N沟道 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 1W
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双N沟道 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ

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WSD2098N23由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD2098N23价格参考¥5.479800。WINSOK微硕WSD2098N23封装/规格:DFN 2x3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:双N沟道 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ

手机版:WSD2098N23