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KNB3308A

商品型号： KNB3308A

制造厂商： KIA 半导体

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.44g

商品编号： CY789145

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：240W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，80V，80A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：240W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，80V，80A

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KNB3308A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNB3308A价格参考￥6.218400。KIA 半导体KNB3308A封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：240W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，80V，80A

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