商品型号： KPE4703A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY078864
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道 P沟道，-30V，-7.5A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A | |
| 类型 | P沟道 |
KPE4703A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KPE4703A价格参考￥7.348300。KIA 半导体KPE4703A封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道 P沟道，-30V，-7.5A
手机版：KPE4703A
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