BSZ150N10LS3GATMA1

商品型号： BSZ150N10LS3GATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY803136

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 33uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,40A,15mΩ@10V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货1241(5000起订)

数量: X ￥3.4134

总价: ￥3.41

包装:「圆盘 / 5000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥3.4134
10+

￥3.3445
30+

￥3.2756
100+

￥3.2067
500+

￥3.1378
1000+

￥3.0689

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 33uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,40A,15mΩ@10V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供BSZ150N10LS3GATMA1引脚图查看，BSZ150N10LS3GATMA1中文资料pdf下载，BSZ150N10LS3GATMA1使用说明书查看，BSZ150N10LS3GATMA1参数pdf下载, BSZ150N10LS3GATMA1工作原理，BSZ150N10LS3GATMA1驱动电路图，BSZ150N10LS3GATMA1数据手册，BSZ150N10LS3GATMA1如何测量, BSZ150N10LS3GATMA1接线图查看

BSZ150N10LS3GATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSZ150N10LS3GATMA1价格参考￥3.413400。Infineon(英飞凌)BSZ150N10LS3GATMA1封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 33uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,40A,15mΩ@10V

手机版：BSZ150N10LS3GATMA1