商品型号： TDM3426B
制造厂商： Techcode(泰德)
封装规格： SOT-89
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY881994
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 16mΩ@4.5V
数量
价格
1+
￥5.5
10+
￥5.4174
30+
￥5.3348
100+
￥5.2522
500+
￥5.1696
1000+
￥5.0848
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
TDM3426B由Techcode(泰德)设计生产,在芯云购商城现货销售,TDM3426B价格参考￥5.500000。Techcode(泰德)TDM3426B封装/规格：SOT-89,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 16mΩ@4.5V
手机版：TDM3426B
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