商品型号： WSD3045DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN3x3-8-8
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY678018
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道.30V.18A.8.5mΩ/-30V.-15A.20mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
WSD3045DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD3045DN价格参考￥4.572200。WINSOK微硕WSD3045DN封装/规格：DFN3x3-8-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道.30V.18A.8.5mΩ/-30V.-15A.20mΩ
手机版：WSD3045DN
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