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BSC16DN25NS3 G

商品型号： BSC16DN25NS3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY317524

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 32uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,250V,10.9A,165mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	250V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 32uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,250V,10.9A,165mΩ@10V

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BSC16DN25NS3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC16DN25NS3 G价格参考￥7.452600。Infineon(英飞凌)BSC16DN25NS3 G封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 32uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,250V,10.9A,165mΩ@10V

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