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LP3407LT1G

商品型号: LP3407LT1G

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY029653

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-4.1A,70mΩ@-10V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-4.1A,70mΩ@-10V

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LP3407LT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LP3407LT1G价格参考¥1.495200。LRC(乐山无线电)LP3407LT1G封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-4.1A,70mΩ@-10V

手机版:LP3407LT1G