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HSS2N7002K

商品型号: HSS2N7002K

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOT-23-3

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY203997

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.35W 类型:N沟道

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总   价: ¥112.74

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.35W 类型:N沟道

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HSS2N7002K由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSS2N7002K价格参考¥2.254700。HUASHUO(华朔)HSS2N7002K封装/规格:SOT-23-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.35W 类型:N沟道

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