商品型号： FIR4N65LG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.38g
商品编号： CY510579
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
数量
价格
1+
￥8.57
10+
￥8.475
30+
￥8.38
100+
￥8.285
500+
￥8.19
1000+
￥8.095
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FIR4N65LG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR4N65LG价格参考￥8.570000。3PEAKFIR4N65LG封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
手机版：FIR4N65LG
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