商品型号： WSP4435
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY788923
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-8.2A.16mΩ.功能与脚位等同AO4435
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1+
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10+
￥9.4342
30+
￥9.3484
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￥9.2626
500+
￥9.1768
1000+
￥9.0884
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | P沟道 |
WSP4435由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSP4435价格参考￥9.520000。WINSOK微硕WSP4435封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-8.2A.16mΩ.功能与脚位等同AO4435
手机版：WSP4435
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