商品型号： HD60N03
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY023856
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,14mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
HD60N03由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HD60N03价格参考￥2.242100。HL(豪林)HD60N03封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,14mΩ@10V
手机版：HD60N03
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