BSD840NH6327XTSA1

商品型号： BSD840NH6327XTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SC-70-6(SOT-363)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY592027

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：880mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：750mV @ 1.6uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 880mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双N沟道两个N沟道,20V,880mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：880mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：750mV @ 1.6uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 880mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双N沟道两个N沟道,20V,880mA

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BSD840NH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSD840NH6327XTSA1价格参考￥2.217200。Infineon(英飞凌)BSD840NH6327XTSA1封装/规格：SC-70-6(SOT-363),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：880mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：750mV @ 1.6uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 880mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双N沟道两个N沟道,20V,880mA

手机版：BSD840NH6327XTSA1