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BSZ100N06LS3 G

商品型号： BSZ100N06LS3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY337485

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	11A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

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BSZ100N06LS3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSZ100N06LS3 G价格参考￥4.577000。Infineon(英飞凌)BSZ100N06LS3 G封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

手机版：BSZ100N06LS3 G