商品型号： WSF09N20
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY475104
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.200V.9A.210mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
WSF09N20由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSF09N20价格参考￥1.283300。WINSOK微硕WSF09N20封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.200V.9A.210mΩ
手机版：WSF09N20
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