商品型号： HY4008P
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.90g
商品编号： CY449529
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3. 5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：345W(Tc) 类型：N沟道 N沟道80V/200A/2.9毫欧
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1+
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10+
￥8.1858
30+
￥8.1508
100+
￥8.1131
500+
￥8.0754
1000+
￥8.0377
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￥15.00
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￥25.00
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￥25.00
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￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
HY4008P由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY4008P价格参考￥8.220800。HUAYI(华羿微)HY4008P封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3. 5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：345W(Tc) 类型：N沟道 N沟道80V/200A/2.9毫欧
手机版：HY4008P
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