商品型号： KIA2306
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY220592
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.5A | |
| 类型 | N沟道 |
KIA2306由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA2306价格参考￥6.325100。KIA 半导体KIA2306封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306
手机版：KIA2306
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