商品型号： ME20P06-G
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY419886
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39.1W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | P沟道 |
ME20P06-G由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,ME20P06-G价格参考￥4.507000。3PEAKME20P06-G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39.1W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V
手机版：ME20P06-G
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