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BF998E6327HTSA1

商品型号： BF998E6327HTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-143

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY360280

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	30mA
栅源极阈值电压	-
漏源导通电阻	-
最大功率耗散（Ta=25°C）	200mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道

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BF998E6327HTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BF998E6327HTSA1价格参考￥2.015400。Infineon(英飞凌)BF998E6327HTSA1封装/规格：SOT-143,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道

手机版：BF998E6327HTSA1