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UT2316G-AE3-R

商品型号： UT2316G-AE3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY914626

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道 N沟道,30V,3.6A,50mΩ@10V

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道 N沟道,30V,3.6A,50mΩ@10V

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UT2316G-AE3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT2316G-AE3-R价格参考￥9.039600。3PEAKUT2316G-AE3-R封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道 N沟道,30V,3.6A,50mΩ@10V

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