商品型号： LP2309LT1G
制造厂商： LRC(乐山无线电)
封装规格： SOT-23(TO-236)
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY669298
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
LP2309LT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LP2309LT1G价格参考￥1.400800。LRC(乐山无线电)LP2309LT1G封装/规格：SOT-23(TO-236),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
手机版：LP2309LT1G
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