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NCE60P25K

商品型号: NCE60P25K

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.55g

商品编号: CY532243

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道 P沟道,60V,25A.

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 25A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道 P沟道,60V,25A.

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NCE60P25K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE60P25K价格参考¥5.390800。无锡新洁能NCE60P25K封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道 P沟道,60V,25A.

手机版:NCE60P25K