DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A 场效应管

商品型号： DMG6601LVT-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TSOT-26

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY825830

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A,2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：850mW 类型：N沟道和P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A,2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：850mW 类型：N沟道和P沟道

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DMG6601LVT-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG6601LVT-7价格参考￥3.055000。DIODES(美台)DMG6601LVT-7封装/规格：TSOT-26,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A,2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：850mW 类型：N沟道和P沟道

手机版：DMG6601LVT-7