商品型号： KND4360A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY693878
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，2.8A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
KND4360A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KND4360A价格参考￥1.164900。KIA 半导体KND4360A封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，2.8A
手机版：KND4360A
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