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MOS(场效应管)
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MOS(场效应管)

商品型号: AO3415A

制造厂商: UMW(友台半导体)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY582597

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
最大功率耗散(Ta=25°C) 350mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

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AO3415A由UMW(友台半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,AO3415A价格参考¥9.313000。UMW(友台半导体)AO3415A封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

手机版:AO3415A