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DMN63D8LW-13

商品型号： DMN63D8LW-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-323(SC-70)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY996701

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：380mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 250mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	300mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：380mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 250mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V

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DMN63D8LW-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN63D8LW-13价格参考￥4.334200。DIODES(美台)DMN63D8LW-13封装/规格：SOT-323(SC-70),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：380mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 250mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V

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