商品型号: BSS123WQ-7-F
制造厂商: DIODES(美台)
封装规格: SOT-323(SC-70)
商品毛重: 0.03g
商品编号: CY417991
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,100V,170mA,6Ω@10V
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 200mW | |
类型 | N沟道 |
BSS123WQ-7-F由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS123WQ-7-F价格参考¥2.376800。DIODES(美台)BSS123WQ-7-F封装/规格:SOT-323(SC-70),连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,100V,170mA,6Ω@10V
手机版:BSS123WQ-7-F
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