商品型号： PMV55ENEAR
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： TO-236AB
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY991493
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：478mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
PMV55ENEAR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV55ENEAR价格参考￥9.527000。Nexperia(安世)PMV55ENEAR封装/规格：TO-236AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：478mW 类型：N沟道
手机版：PMV55ENEAR
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